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    過去，碳化硅生產商將其用于高溫環境下的設備，如軸承，機械零件，汽車制動器，甚至是磨具。將碳化硅應用于電子和半導體領域具有以下優勢：

    -高導熱率120-270W/mK-低熱膨脹系數的SiC—10^-6/C-高zui大電流密度的SiC性能使其成為優良的SiC材料，特別是與SiC相比，SiC更具優勢。由于碳化硅的材料特性，它在大功率、高電流和高熱導率方面有很大的優越性。

    近幾年來，碳化硅在大功率、MOSFET、肖特基二極管、功率模塊等半導體工業中得到了廣泛的應用。雖然硅MOSFET比普通900V要貴一些，但是碳化硅可以達到10倍的峰值電壓。

    切換損失也很小，并且能夠支持更高的工作頻率，使得SiC能夠達到當前的工作效率，尤其是在600伏特以上時。采用合適的工藝方法，可使碳化硅裝置的損耗降低近50%，系統體積降低300%，系統總成本降低20%。由于碳化硅整系尺寸的減小，使得其在質量和空間上的應用有了很大的發展。

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