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    碳化硅(SiC)功率半導體的應用從電動汽車到太陽能PV都在加速，但是這種材料來自哪里？它究竟有什么特別？為什么碳化硅在一個多世紀前被用作無線電探測器的基礎，而半導體工業卻需要如此長的時間呢？

    20世紀初，實驗人員發現鍺等多種物質的晶體可以產生“不對稱電流通過”或整流效應，這種現象被應用到晶體無線電中。在嘗試使用碳化硅時，會產生不正常的現象。晶體發出黃光，有時會發出綠色、橙色及藍色。晶體管在40年前便被發現。

    盡管SiC作為LED很快被砷化鎵和氮化鎵取代，其發光效率提高了10-100倍，但作為一種材料，它仍然引起電子領域的關注。它的導熱率是硅的3.5倍，在保持高電場擊穿的情況下，重摻雜可以獲得更高的電導率。從機械上看，它非常堅硬，不活潑，熱膨脹系數極低，額定溫度也很高。SiC不熔合-在2700℃左右升華。

    在早期，碳化硅被認為是理想的半導體器件，那么碳化硅的發展與硅的發展又有哪些障礙？消除了SiC晶體存在的主要缺陷：邊位錯、各種類型的螺釘錯位、三角缺陷和基面位錯。晶體越小，其反阻性就越差，使這些元件基本不能使用。

    還存在使用SiC和SiO2連接來制造流行的MOSFET和IGBT器件的問題。然而，隨著技術的發展，質量不斷提高，6英寸晶圓片可以提供可以接受的質量，而突破(又稱氮化法或氧化氮退火)可以使SiC穩定地生長在SiC。

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